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2026年6月29日
ミネベアパワーデバイス株式会社
ミネベアパワーデバイス、3.3kV IGBTモジュールのラインナップを拡充
～業界標準の「LV-nHPD2 ※1」パッケージで450~800Aまで、ニーズに合わせた柔軟な製品選択が可能に～
ミネベアミツミグループのミネベアパワーデバイス株式会社（社長：鈴木 雅彦、本社：東京都港区、以下：ミネベアパワーデバイス）は、鉄道車両や電力インフラ、大型産業機器（再生可能エネルギーのパワーコンディショナ（PCS）やモータードライブ装置）などの電力変換システム向けに、定格電圧3.3kVの低インダクタンスIGBTモジュール「LV-nHPD2 ※1」シリーズのラインナップを拡充しました。
新たに開発した「MBM600FS33G2（600A定格）」および「MBM800GS33G2（800A定格）」の2製品を加え、従来品の「MBM450FS33F（450A定格）」と合わせ、計3つの出力水準からお客様のインバータ容量や信頼性設計に適したデバイスを選択いただける体制を整えました。
ミネベアパワーデバイスは、ミネベアミツミグループのコンセプト「相合（そうごう）※2」とコア事業「8本槍」によるシナジーを活かし、パワー半導体技術の革新を通じて、持続可能な社会インフラの発展に貢献してまいります。
- ※1 LV-nHPD2： Low Voltage - next High Power Density Dual
- ※2 相合：総合ではなく、相い合わせることを意味する造語。
当社グループのあらゆるリソースを掛け合わせ、相乗効果により新たな価値を創造する。
製品写真
開発の背景
脱炭素社会の実現に向け、再生可能エネルギーや交通インフラの電動化が進む中、電力変換器にはさらなる高効率化、小型化、そして過酷な負荷変動に耐えうる長期信頼性が求められています。
ミネベアパワーデバイスは、実績のあるトレンチ型IGBT（F版）に加え、さらなる低損失を実現した独自のサイドゲート構造（G2版）を市場投入することで、標準的な仕様から大容量・高負荷運用まで、多様化する市場ニーズにきめ細かく対応します。
新製品および従来品のラインナップ比較
お客様は、要求される出力電流や動作温度条件に基づき、以下の3タイプから選択可能です。
| 項目 | MBM450FS33F | MBM600FS33G2 | MBM800GS33G2 |
|---|---|---|---|
| ステータス | 従来品 | 新製品 | 新製品 |
| 定格電流 | 450A | 600A | 800A |
| 回路構成 | 2in1 （ハーフブリッジ） | 2in1 （ハーフブリッジ） | 2in1 （ハーフブリッジ） |
| 搭載チップ | トレンチIGBT （F版） | サイドゲートIGBT （G2版） | サイドゲートIGBT （G2版） |
| 最大接合部温度 （Tj（max）） | 150℃ | 150℃ | 175℃ |
| パッケージ | LV-nHPD2 | LV-nHPD2 | LV-nHPD2 |
| 接合技術 | 標準仕様 | 標準仕様 | 焼結銅接合 高強度Alワイヤー |
| 製品の特長 | 豊富な実績を持つ 標準モデル | 次世代チップによる 低損失モデル | 高出力・高パワー サイクルモデル |
製品の主な特長
1. スケーラビリティに優れた業界標準パッケージの採用
業界標準の外形寸法を持つ「LV-nHPD2」パッケージを採用。同一筐体設計のまま出力定格（450A/600A/800A）の変更が容易なうえ、並列接続時の電流アンバランスを抑える内部構造により、メガワット級のシステムまで柔軟な拡張（スケーラビリティ）を実現します。
2. システムの高効率化と小型化に貢献（600A / 800A製品）
新製品の2機種には、独自開発の次世代チップ「サイドゲート構造IGBT（G2版）」を搭載。従来品（F版）と比較し、VCE（sat）を約25%、Eon＋Errを約30%低減することに成功しました。これにより、電力変換効率の向上はもちろん、冷却機構の簡素化や装置全体の小型化に大きく貢献します。
図1 従来品（F版）と新製品（G2版）の損失トレードオフ比較（測定条件：Ic=600A、Tj=150℃）
3. 先進の実装技術による175℃動作対応（800A品）
シリーズ最大電流となる800A定格品（MBM800GS33G2）には、焼結銅（Cu）接合および高強度Alワイヤー接合を採用しました。欧州の鉄道規格プロジェクト（Roll2Rail）で求められる厳しい目標値（100万サイクル（1.0×106））に対し、3倍以上となる350万サイクル（3.5×106）という極めて高いパワーサイクル耐量を確認しました。最大接合部温度175℃での連続動作に対応し、大電流・長寿命が求められる次世代のインフラ機器に適しています。
図2 新製品（MBM800GS33G2）のパワーサイクル試験結果と測定条件
ミネベアパワーデバイスについて
ミネベアパワーデバイスは、産業や社会インフラの電化・電動化におけるキー・デバイスであるパワー半導体製品を提供している半導体メーカーです。高度な基礎技術資産とモジュール化技術をベースにした小型化と高性能化を両立した特徴のある製品を数多く生み出し、高い競争力を有した製品ポートフォリオを実現することで、高成長が見込まれるエンドマーケットにおいて確固たるポジションを確立しております。特に、高耐圧SiC、高耐圧IGBT、EV向けSG（サイドゲート）-IGBT、高圧IC、オルタネータ用ダイオード等のパワー半導体においては、豊富な技術開発力を背景として、優位性の高い技術・製品を有しています。
ミネベアミツミについて
ミネベアミツミは、機械の回転をスムーズにするミニチュア・小径ボールベアリング（軸受）や、1直リチウムイオン電池用保護ICなどをはじめとする、超精密加工技術を代表するコア技術を中心に、半導体、モーター、センサーなど、様々な機械・電子部品を手がける相合（そうごう）精密部品メーカーです。当社の超精密技術は、エアコン・掃除機・ドライヤー、ゲーム機などの家電製品、スマートフォン・パソコンなどの情報機器、自動車・航空・宇宙製品、そして医療機器など、幅広い分野で使用され、目に見えないところで皆様の生活をお支えしております。
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